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Antecedentes de la Teoría Electromagnética.

DOCENTE: VÍCTOR MONTIEL CORTÉS.
MATERIA: TEORÍA ELECTROMAGNÉTICA.

Docente: Camerina Laura Ramírez Gallegos

Materia: Arquitectura de computadoras

Una familia lógica es un conjunto de circuitos integrados que implementan distintas operaciones lógicas compartiendo la tecnología de fabricación y en consecuencia, presentan características similares en sus entradas, salidas y circuitos internos. La similitud de estas características facilita la implementación de funciones lógicas complejas al permitir la directa interconexión entre los chips pertenecientes a una misma familia.   Teniendo en cuenta el tipo de transistores utilizados como elemento de conmutación, las familias lógicas pueden dividirse en dos grandes grupos: las que utilizan transistores bipolares y las que emplean transistores MOS.

La primera familia lógica en aparecer en el mercado, a principios de la década del 60, fue implementada con lógica de transistores bipolares acoplados por emisor (ECL, Emitter Coupled Logic). A fin de desarrollar circuitos de alta velocidad los transistores conducen en zona activa y de esta manera se minimiza el tiempo de conmutación entre conducción y corte. Casi inmediatamente aparecieron otras familias lógicas basadas en transistores bipolares conmutando entre corte y saturación a fin de reproducir dentro de un chip los circuitos que hasta ese momento se realizaban utilizando componentes discretos. La primera de estas familias fue implementada con resistencias y transistores bipolares y se la identifica como lógica RTL (Resistor Transistor Logic). La integración de resistencias demanda gran cantidad de área de silicio, reduciendo la cantidad de compuertas que se podían incluir dentro de un mismo chip. Para mejorar el aprovechamiento del área algunas resistencias de los circuitos comenzaron a ser reemplazadas por diodos, principalmente en las etapas de entrada, dando lugar a la aparición de la lógica de diodos y transistores identificada como DTL (Diode Transistor Logic). Finalmente, los transistores multiemisor reemplazaron los diodos y se llegó a una topología circuital que dio lugar a una familia lógica basada fundamentalmente en transistores bipolares y una mínima cantidad de resistencias. Esta familia, denominada lógica TTL (Transistor Transistor Logic), se popularizó rápidamente y mantiene, aún en la actualidad, su vigencia.

Con el correr del tiempo la familia TTL se convirtió en un conjunto de familias lógicas que si bien entre sí difieren en velocidad, consumo de energía y costo, mantienen características de entrada y salida compatibles de manera que en un sistema digital pueden mezclarse componentes de distintas familias TTL.  Los principales inconvenientes de los circuitos con transistores bipolares son el alto consumo y, como consecuencia, la baja escala de integración admisible (cantidad de dispositivos posibles de integrar en un mismo chip) que se relaciona directamente con una baja complejidad del circuito. Como alternativa para soslayar estos inconvenientes y facilitar el aumento del nivel de integración surgieron las familias basadas en transistores de efecto de campo de compuerta aislada (MOS, metal oxide semiconductor) de enriquecimiento. En esta tecnología, los circuitos lógicos pueden ser implementados íntegramente con transistores MOS evitando la presencia de resistencias, en consecuencia, para implementar una función lógica dada se ocupa menor área de silicio con un proceso de fabricación más simple. Además del hecho que, dado que los transistores MOS son controlados por tensión y no permiten la circulación de corriente en sus entradas, requieren menos potencia para su funcionamiento facilitando el aumento de la escala de integración.

Teniendo en cuenta que los transistores MOS tienen un único tipo de portadores, y en el caso de los transistores con canal tipo N (NMOS) los portadores son electrones que tienen una movilidad  considerablemente mayor que la de los huecos responsables de la conducción en los de canal P (PMOS), las primeras familias lógicas de transistores MOS se basaban en transistores de canal tipo N, siendo conocida como familia NMOS.

A fines de los setenta surgieron procesos tecnológicos que permitían integrar transistores canal N y canal P simultáneamente en una misma pastilla. De esta manera surge la tecnología de transistores MOS complementarios (CMOS, complementary MOS). El conjunto de familias CMOS posee ventajas indudables sobre la TTL, y aún sobre la misma NMOS; sobre todo en cuanto al mínimo consumo de potencia haciendo que rápidamente se estableciera como el estándar dando lugar a un aumento vertiginoso de la escala de integración hasta llegar a poner cientos de millones de transistores en un mismo chip.

Las familias TTL no han experimentado cambios importantes en los últimos años, mientras que la permanente evolución de la tecnología CMOS puso a disposición familias CMOS capaces de reemplazar en forma directa los integrados TTL incluso con mejor rendimiento. Las familias TTL siguen estando presentes en el mercado si bien a partir de mediados de los ochenta los circuitos CMOS fueron ganando rápidamente el primer lugar en preferencias.

El importante y permanente desarrollo de la tecnología CMOS llevó a la aparición de circuitos con cada vez mayor velocidad de respuesta y nivel de complejidad, imponiéndose como la preferida en el diseño de microprocesadores y microcontroladores. En los ochenta, la sistematización del diseño de circuitos integrados CMOS abrió la posibilidad de implementar circuitos integrados a medida del usuario surgiendo importantes líneas de trabajo alrededor del desarrollo de circuitos integrados de aplicación específica (ASIC, Application Specific Integrated Circuits), con esta tecnología surgen y se desarrollan los dispositivos de lógica programable en campo, y procesos que permiten integrar un sistema complejo completo dentro de un único chip. Hoy la tecnología CMOS ha reemplazado casi totalmente a las tecnologías basadas en transistores bipolares no sólo en circuitos digitales sino también en circuitos analógicos.

Información obtenida de http://web.fceia.unr.edu.ar/

Memoria

Docente: Camerina Laura Ramírez Gallegos

Materia: Arquitectura de computadoras

 

INTRODUCCIÓN

La memoria es un bloque fundamental del computador, cuya misión consiste en almacenar los datos y las instrucciones. La memoria principal, es el órgano que almacena los datos e instrucciones de los programas en ejecución. A veces la memoria principal no tiene la suficiente capacidad para contener todos los datos e instrucciones, en cuyo caso se precisan otras memorias auxiliares o secundarias, que funcionan como periféricos del sistema y cuya información se traspasa a la memoria principal cuando se necesita. La memoria solo puede realizar dos operaciones básicas: lectura y escritura. En la lectura, el dispositivo de memoria debe recibir una dirección de la posición de la que se quiere extraer la información depositada previamente. En la escritura, además de la dirección, se debe suministrar la información que se desea grabar. Es por ello que el presente trabajo ha sido elaborado con la finalidad de mostrar los diferentes tipos de memorias que existe, sus características fundamentales y el funcionamiento de cada una de ellas. Primero que nada se brindará información sobre la memoria de Ferrita, las memorias de película delgada y de hilo plateado y las memorias de semiconductores, como son las de acceso aleatorio o RAM que se caracterizan por ser memorias de lectura/escritura y que son volátiles, es decir, que se pierde la información cuando no hay energía, de igual manera hablaremos acerca delas memorias de sólo lectura o ROM, las cuales se caracterizan por ser memorias de lectura y contienen celdas de memoria no volátiles, las memorias FLASH, caracterizadas por tener alta capacidad para almacenar información y es de fabricación sencilla y las memorias CACHÉ, caracterizada por ser un sistema especial de almacenamiento de alta velocidad. Se harán mención las ventajas y desventajas que tiene cada una de ellas, se presentarán diagramas o esquemas para mostrar la representación de los tipos de memorias. Y a partir de la información aquí presentada, podremos analizar cada uno de los aspectos importantes y lograremos que nuestros conocimientos se amplíen, ya que el contenido cuenta con puntos relevantes y de suma importancia con respecto a este tema.

MEMORIA FERREITA

El punto de memoria es un toro o anillo de ferrita, que presenta dos direcciones de magnetización. Las primeras ferritas tenían un diámetro exterior de 0.3 cm y las ultimas de 0.05 cm. Las propiedades fundamentales de estas memorias son las siguientes:

  1. Memoria estática con direccionamiento cableado, tipo RAM.
  2. No volátil, pues, si se deja de alimentar, las polarizaciones de las ferritas se mantienen invariables.
  3. De lectura destructiva: La escritura exige un borrado previo, pues solamente se puede basar del “0” al ”1”.

Funcionamiento

Este dispositivo de memoria se basa en la propiedad que poseen los toros o anillos de ferrita de crear un campo magnético cuando son atravesados por un conductor por el cual se hace pasar una corriente eléctrica, el sentido el campo magnético dependerá del sentido de la corriente según la regla de la mano derecha. Al dejar de circular la corriente eléctrica por el conductor el anillo mantiene el campo magnético inducido por un tiempo relativamente largo. También es posible cambiar el sentido del campo magnético inducido en el anillo haciendo circular, a través del conductor, corriente eléctrica de intensidad suficiente y en el sentido contrario al que originó dicho campo magnético.

Dado que cada anillo puede ser magnetizado en dos sentidos distintos, entonces es posible emplearlos para almacenar un bit de información, es decir, los estados “0” y “1”.

De esa manera es posible escribir el dato. Para realizar la lectura del mismo es necesario hacer pasar por el anillo otro conductor que no debe estar paralelo al de escritura para evitar inducciones entre ambos, a este se le denomina conductor de lectura. Para conocer el dato almacenado en el anillo se hace circular una corriente por el conductor de escritura que provoque al anillo a pasar a estado “0”, si el anillo estaba en estado “1” entonces cambiará a estado “0” de forma brusca debido a que el campo magnético inducido es de sentido contrario al que tenía el anillo, lo cual inducirá una corriente en el conductor de lectura, si por el contrario el anillo estaba en estado “0” entonces el campo magnético inducido coincide en sentido con el que tenía el anillo, por lo que prácticamente no ocurren cambios y la corriente eléctrica que se inducirá en el conductor de lectura será de intensidad mucho menor. La escritura se realiza enviando pulsos a través de los conductores X y Y, correspondientes y la combinación de dichos pulsos en el anillo provocará que se induzca el campo magnético de sentido opuesto, lo cual no ocurrirá en el resto de los anillos ya que solo recibirán un pulso (X o Y) insuficiente para provocar el cambio.

MEMORIAS DE PELICULA DELGADA Y DE HILO PLATEADO

En los dispositivos de película delgada se parte de una fina capa magnetizable sobre la que se establece una matriz de hilos conectados a los transductores. La zona proximal al cruce de dos hilos realiza la misma función que un toro de ferrita de dos hilos. Dicha capa se deposita sobre un soporte y tiene un espesor de unos 10 -4mm.

En los dispositivos de hilo plateado el material magnético se deposita en una fina capa que recubre uno de los dos conductores. La zona de este depósito, próxima al cruce de ambos hilos, forma el equivalente a la ferrita.

MEMORIAS DE SEMICONDUCTORES

Estas memorias son de direccionamiento cableado, es decir, de acceso aleatorio o RAM.

Se puede establecer la siguiente clasificación:

  1. De lectura y escritura(RAM)
  • Estáticas.
  • Dinámicas.
  1.  De sólo lectura.
  •  ROM (Read Only Memory)
  • PROM (Programmable Read Only Memory)
  • EPROM (Erasable Programmable Read Only Memory)
  • EEPROM (Electrically Erasable Read Only Memory)

Las memorias de semiconductores se presentan en pastillas integradas que contienen una matriz de memoria, un decodificador de direcciones, los transductores correspondientes y el tratamiento lógico de algunas señales de control.

Existen muchas configuraciones, pero la mayoría de estas memorias manejan los siguientes elementos y señales.

  1.  Bus de Datos: es un colector o conjunto de líneas triestado que transportan la información almacenada en memoria. El bus de datos se puede conectar a las líneas correspondientes de varias pastillas.
  2. Bus de Direcciones: cuando se está completo, es un conjunto de m líneas que transportan la dirección y que permite codificar 2 posiciones de memoria. Pude estar multiplexado, de forma que primero se transmiten m/2 bits y luego, el resto.

Señales de control típicas:

OE: Activa la salida triestado de la memoria.

CS o CE: Activa la pastilla o chip.

WE: Señal de escritura. Para realizar una escritura, además de activarse esta señal, también lo estarán CS o CE.

RAS o CAS: Las líneas RAS(Row Address Strobe) y CAS(Column Address Strobe) sirven para decodificar las filas y columnas de la RAM dinámicas.

MEMORIA RAM

Es la memoria de acceso aleatorio (Random Access Memory). Se llama de acceso aleatorio porque el procesador accede a la información que está en la memoria en cualquier punto sin tener que acceder a la información anterior y posterior.

Es la memoria que se actualiza constantemente mientras el ordenador está en uso y que pierde sus datos cuando el ordenador se apaga.

Se caracterizan por ser memorias de lectura/escritura y contienen un conjunto de variables de dirección que permiten seleccionar cualquier dirección de memoria de forma directa e independiente de la posición en la que se encuentre. Estas memorias son volátiles, es decir, que se pierde la información cuando no hay energía y se clasifican en dos categorías básicas:

  1. RAM Estática.
  2. RAM Dinámica.

SRAM (Static Random Access Memory) Memoria estática de acceso aleatorio es la alternativa a la DRAM. No necesita tanta electricidad para su refresco y reemplazo de las direcciones y funciona más rápido porque no está reemplazando constantemente las instrucciones y los valores almacenados en ella. La desventaja es su altísimo coste comparado con la DRAM. Puede almacenar y recuperar los datos rápidamente y se conoce normalmente como MEMORIA CACHE. Se compone de celdas conformadas por flip-flops, construidos generalmente con transistores MOSFET, aunque también existen algunas memorias pequeñas construidas con transistores bipolares.

DRAM (Dynamic Random Access Memory) Es la memoria de acceso aleatorio dinámica. Está organizada en direcciones de memoria (Addresses) que son reemplazadas muchas veces por segundo. Se compone de celdas de memoria construidas con condensadores. Las celdas de memoria son de fabricación más sencillas en comparación a las celdas a base de transistores, lo cual permite construir memorias de gran capacidad.

 

 Tipos de memorias RAM:

  • VRAM (video RAM)

Memoria de propósito especial usada por los adaptadores de vídeo. A diferencia de la convencional memoria RAM, la VRAM puede ser accedida por dos diferentes dispositivos de forma simultánea. Esto permite que un monitor pueda acceder a la VRAM para las actualizaciones de la pantalla al mismo tiempo que un procesador gráfico suministra nuevos datos. VRAM permite mejores rendimientos gráficos aunque es más cara que la una RAM normal.

  •   SIMM ( Single In Line Memory Module)

Un tipo de encapsulado consistente en una pequeña placa de circuito impreso que almacena chips de memoria, y que se inserta en un zócalo SIMM en la placa madre o en la placa de memoria. Los SIMMs son más fáciles de instalar que los antiguos chips de memoria individuales, y a diferencia de ellos son medidos en bytes en lugar de bits.

  •  DIMM (Dual In Line Memory)

Un tipo de encapsulado, consistente en una pequeña placa de circuito impreso que almacena chips de memoria, que se inserta en un zócalo DIMM en la placa madre y usa generalmente un conector de 168 contactos.

  •  DIP (Dual In Line Package)

Un tipo de encapsulado consistente en almacenar un chip de memoria en una caja rectangular con dos filas de pines de conexión en cada lado.

  •  RAM Disk

Se refiere a la RAM que ha sido configurada para simular un disco duro. Se puede acceder a los ficheros de un RAM disk de la misma forma en la que se acceden a los de un disco duro. Sin embargo, los RAM disk son aproximadamente miles de veces más rápidos que los discos duros, y son particularmente útiles para aplicaciones que precisan de frecuentes accesos a disco.

Dado que están constituidos por RAM normal. Las RAM disk pierden su contenido una vez que la computadora es apagada.

 

 MEMORIA CACHÉ O RAM CACHÉ

Un caché es un sistema especial de almacenamiento de alta velocidad. Puede ser tanto un área reservada de la memoria principal como un dispositivo de almacenamiento de alta velocidad independiente. Hay dos tipos de caché frecuentemente usados en las computadoras personales: memoria caché y caché de disco. Una memoria caché, llamada también a veces almacenamiento caché o RAM caché, es una parte de memoria RAM estática de alta velocidad (SRAM) más que la lenta y barata RAM dinámica (DRAM) usada como memoria principal.
El caché de disco trabaja sobre los mismos principios que la memoria caché, pero en lugar de usar SRAM de alta velocidad, usa la convencional memoria principal.

MEMORIA ROM

Las memorias de sólo lectura son conocidas como memorias ROM (Read Only Memory), se caracterizan por ser memorias de sólo lectura y contienen celdas de memoria no volátiles, es decir, que la información almacenada se conserva sin necesidad de energía. Este tipo de memoria se emplea para almacenar información de forma permanente o información que no cambie con mucha frecuencia.

 

 MEMORIA ROM DE MASCARA

Este tipo de ROM se caracteriza porque la información contenida en su interior se almacena durante su fabricación y no se puede alterar. El proceso de fabricación es muy caro, pero se hacen económicas con la producción de grandes cantidades.

La programación se realiza mediante el diseño de un negativo fotográfico, llamado máscara, donde se especifican las conexiones internas de la memoria. Son ideales para almacenar microprogramas, sistemas operativos, tablas de conversión y caracteres.

MEMORIA PROM

La memoria PROM (Programmable Read Only Memory) se caracteriza porque el usuario realiza su programación y sólo se puede realizar una vez, después de la cual no se puede borrar o volver a almacenar otra información. Para almacenar la información se emplean dos técnicas:

  1. Por destrucción de fusible.
  2. Por destrucción de unión.

Comúnmente la información se programa o quema en las diferentes celdas de memoria aplicando la dirección en el bus de direcciones, los datos en los buffers de entrada de datos y un pulso de 10 a 30 V, en una terminal dedicada para fundir los fusibles correspondientes.

Cuando se aplica este pulso a un fusible de celda, se almacena un 0 lógico, de lo contrario se almacena un 1 lógico (estado por defecto) quedando de esta forma la información almacenada de forma permanente.

EEPROM (Electrically Erasable Read Only Memory)

EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read Only Memory) que se puede traducir como Memoria programable borrable de solo lectura. Una EEPROM puede ser borrada y programada con impulsos eléctricos. Al ser una pieza que se puede gestionar por estos impulsos eléctricos, podemos realizar todas estas operaciones de reprogramación sin tener que desconectarla de la placa a la cual va conectada.

La EEPROM también se conoce como memoria no volátil y es debido a que cuando se desconecta la energía, los datos almacenados en la EEPROM no serán eliminados quedando intactos. Las EEPROM más nuevas no tiene datos almacenados en ellas y deben ser primero configuradas con un programador antes de ser usadas. La información almacenada dentro de este dispositivo puede permanecer durante años sin una fuente de energía eléctrica.

 

MEMORIA FLASH

La memoria flash es una manera desarrollada de la memoria EEPROM que permite que múltiples posiciones de memoria sean escritas o borradas en una misma operación de programación mediante impulsos eléctricos, frente a las anteriores que sólo permite escribir o borrar una única celda cada vez EPROM. Por ello, la memoria flash permite funcionar a velocidades muy superiores cuando los sistemas emplean lectura y escritura en diferentes puntos a la vez. Las aplicaciones mas habituales son:

-USB (además del almacenamiento pueden incluir radio FM grabación de voz…

-PC Card(es un periférico diseñado para computadoras portátiles para expandir la memoria aunque también es utilizado como: tarjeta de red, sintonizador de TV, módem)

-Tarjetas de memoria flash (sustituto del carrete en la fotografía digital.

En cuanto a las características que ofrecen este tipo de memorias cabe destacar su gran resistencia a los golpes (no contiene partes móviles), es de bajo consumo y muy silencioso, de reducido tamaño (lo que nos permite introducirlo en dispositivos portátiles) y muy ligero. Otra característica de gran interés es que funciona bajo temperaturas extremas (25º hasta los 85º).

En lo referente a defectos hay que mencionar que solo permite una cantidad finita de escrituras y borrados (generalmente entre 10.000 y un millón), dependiendo de la celda, la precisión y el voltaje necesario para su borrado. Inicialmente almacenaban 8 MB, pero actualmente almacenan más de 64 GB, con una velocidad de hasta20 MB/s.

Fabricada con puertas lógicas NOR y NAND para almacenar los 0’s y 1’s correspondientes.
Las tarjetas de memoria flash están hechas de muchísimas celdas microscópicas que acumulan electrones con diferentes voltajes a medida que la electricidad pasa a través de ellas, creando así un mapa de diferentes cargas eléctricas. De este modo la tarjeta logra guardar la información que el usuario requiere. Mientras más compacta esté distribuida su estructura, mayor información almacena, y asimismo también aumentan los costos en la fabricación de estos dispositivos.
Los sistemas de archivos están en desarrollo, aunque en la práctica el más utilizado es el FAT (por compatibilidad).
Explicación del funcionamiento de las memorias:

  1. MEMORIA TIPO NOR: Para programar una celda de tipo NOR (asignar un valor determinado) se permite el paso de la corriente desde el terminal fuente al terminal sumidero, entonces se coloca en CG un voltaje alto para absorber los electrones y retenerlos en el campo eléctrico que genera. Este proceso se llama hot-electrón injection. Para borrar (poner a “1”, el estado natural del transistor) el contenido de una celda, expulsar estos electrones, se emplea la técnica de Fowler-Nordheim tunnelling, un proceso de tunelado mecánico – cuántico. Esto es, aplicar un voltaje inverso bastante alto al empleado para atraer a los electrones, convirtiendo al transistor en una pistola de electrones que permite, abriendo el terminal sumidero, que los electrones abandonen el mismo. Este proceso es el que provoca el deterioro de las celdas, al aplicar sobre un conductor tan delgado un voltaje tan alto.
  2. MEMORIA TIPO NAND: Las memorias flash basadas en puertas lógicas NAND funcionan de forma ligeramente diferente: usan un túnel de inyección para la escritura y para el borrado un túnel de ‘soltado’. Las memorias basadas en NAND tienen, además de la evidente base en otro tipo de puertas, un coste bastante inferior, unas diez veces de más resistencia a las operaciones pero sólo permiten acceso secuencial (más orientado a dispositivos de almacenamiento masivo), frente a las memorias flash basadas en NOR que permiten lectura de acceso aleatorio. Sin embargo, han sido las NAND las que han permitido la expansión de este tipo de memoria, ya que el mecanismo de borrado es más sencillo (aunque también se borre por bloques) lo que ha proporcionado una base más rentable para la creación de dispositivos de tipo tarjeta de memoria. Las populares memorias USB o también llamadas Pendrives, utilizan memorias flash de tipo NAND.

Para comparar estos tipos de memoria se consideran los diferentes aspectos de las memorias:
-La densidad de almacenamiento de los chips es actualmente bastante mayor en las memorias NAND.
-El coste de NOR es mucho mayor.
-El acceso NOR es aleatorio para lectura y orientado a bloques para su modificación. Sin embargo, NAND ofrece tan solo acceso directo para los bloques y lectura secuencial dentro de los mismos.
-En la escritura de NOR podemos llegar a modificar un solo bit. Esto destaca con la limitada reprogramación de las NAND que deben modificar bloques o palabras completas.
-La velocidad de lectura es muy superior en NOR (50-100 ns) frente a NAND (10 µs de la búsqueda de la página + 50 ns por byte).
-La velocidad de escritura para NOR es de 5 µs por byte frente a 200 µs por página en NAND.
-La velocidad de borrado para NOR es de 1 s por bloque de 64 KB frente a los 2 ms por bloque de 16 KB en NAND.
-La fiabilidad de los dispositivos basados en NOR es realmente muy alta, es relativamente inmune a la corrupción de datos y tampoco tiene bloques erróneos frente a la escasa fiabilidad de los sistemas NAND que requieren corrección de datos y existe la posibilidad de que queden bloques marcados como erróneos e inservibles.

En resumen, los sistemas basados en NAND son más baratos y rápidos pero carecen de una fiabilidad que los haga eficientes, lo que demuestra la necesidad imperiosa de un buen sistema de archivos. Dependiendo de qué sea lo que se busque, merecerá la pena decantarse por uno u otro tipo.

El problema de crear nuevos sistemas de archivos a partir de los ya mencionados, es que memorias de tipo NOR incorpora varios mecanismos innecesarios para NAND y, a su vez, NAND requiere mecanismos adicionales, innecesarios para gestionar la memoria de tipo NOR. Los dos sistemas de ficheros que se disputan el liderazgo para la organización interna de las memorias flash son JFFS y YAFFS, ExFAT es la opción de Microsoft.
Las nuevas memorias Flash pueden llegar a almacenar más de un bit por celda variando el numero de electrones que almacenan

Existen distintos formatos para las memorias flash:

  • Compact Flash (CF) I y II
  • Memory Stick (MS)
  • MicroSD
  • MiniSD
  • Multi Media Card (MMC)
  • Secure Digital (SD)
  • SmartMedia Card (SM/SMC)
  •  XD-Picture Card.

Nombre de dominio

Docente: Camerina Laura Ramírez Gallegos

Materia: Laboratorio de Proyectos Interactivos

 

Crear un nombre de dominio funcional es sin duda un interesante, y muchas veces extenuante, ejercicio, donde con unas pocas letras y números que acomodados en cierto orden se deba cumplir con tantos requisitos. Una vez que por fin escribe en papel su nombre de dominio ideal, quizá lo más difícil será el resignarse cuando usted se de cuenta que éste ya no está disponible. Ni modo, a recurrir al diccionario y a la creatividad una vez más.

Primera recomendación: Si usted aún no constituye legalmente su empresa o aún no registra su marca y considera que Internet será un medio de suprema importancia para su negocio, entonces busque un dominio apropiado y regístrelo inmediatamente (y los que sean necesarios, como recomiendo en este artículo), después constituya legalmente su empresa o registre su marca en base a ese nombre de dominio. Si por cualquier motivo su empresa no puede constituirse en base a ese nombre que eligió o su marca no pudo ser registrada, no se preocupe, no habrá perdido mucho, sólo el costo por registrar esos dominios que tal vez no utilizará.

Un dominio se considera funcional cuando:

  • Una persona que lo conoce por primera vez, inmediata y correctamente imagina lo que al entrar al sitio web encontrará.
  • Un usuario ingresa, tecleando por intuicion, la dirección del sitio de aquella empresa, marca, producto o servicio que estaba buscando.
  • Un cliente, usuario o prospecto lo recuerda facilmente y sin equivocaciones.

Pero y por ejemplo, ¿Qué hay con el caso Amazon.com? se preguntará usted. Amazon.com es un excelente sitio web, más no un excelente dominio. Otros casos (varios ya) deben realizar fuertes campañas de publicidad para posicionar su sitio web dentro de los favoritos de los usuarios, sin embargo, el dominio no ofrece mucha ayuda para esta labor, dejando caer enteramente la responsabilidad en sus esfuerzos publicitarios para conseguir posicionamiento.

Aunque algunas de ellas muy subjetivas, a continuación expongo las cualidades que un dominio debe tener para ser funcional.

Sencillo.
Que no ocasione la necesidad de explicar su gramática o de deletrearlo. No debe contener letras cuya fonética se confunda con otras (z-s-c, y-ll-i, v-b) y debe ser fácil de pronunciar. Imagínese dictando su dirección electrónica a la secretaria de uno de sus prospectos ¿Tuvo usted que dictársela varias veces? ¿Hubo necesidad de deletrearla? ¿Se quedó usted con la duda de si la habrá anotado correctamente?

Corto.
Mientras más corto mejor, pues resulta más fácil de recordar y se reduce la posibilidad de cometer errores al anotarlo o teclearlo. De preferencia utilice sólo una palabra, o bien, frases con dos o tres sencillas palabras que se reconozcan a primera vista. Cuando su dominio se componga de más de una palabra, entonces utilice mayúsculas y minúsculas para separarlas visualmente y facilitar su lectura (Ej. FrecuenciaCero.com.bo).

Palabras
Calificacion

1

Excelente
2
Bueno
3
Regular
4
mas Malo

Dirigido.
Debe identificar a su segmento de mercado por sí solo. Pongamos como ejemplos MiTarea.com y MisHijos.com, el primero remite a pensar en un sitio para jóvenes estudiantes, el segundo en un sitio para personas adultas con responsabilidad paternal. Otro ejemplo podría ser: Intercambia.com e Intercambie.com, en el primero podemos esperar a que se trate de un sitio para intercambiar cosas en un ambiente informal y entre gente jóven, en el segundo sitio podríamos esperar un sitio web para el intercambio comercial y formal de bienes o servicios entre negocios (Bartering).

Asociativo.
Deberá atraer a los prospectos y, por qué no, a los clientes de su competencia. No estoy queriendo decir que tenga usted que violar algún derecho de marca. Ejemplo: muchas empresas se dedican al acero, pero ¿Cuál cree usted que sea la dirección que más atraiga a potenciales clientes para ese mercado? Sin duda el dominio acero.com, un dominio muy codiciado por todas las empresas acereras.

Obvio.
Que se llame como la gente se refiere a su empresa o marca. Por ejemplo, “Nieves La Michoacana” preferiría contar con un dominio como LaMichoacana.com en lugar de NievesLaMichoacana.com, afamado nombre de unas tiendas de nieves y helados en México.

Registre los similares.
Si ya encontró el dominio que quiere registrar, ahora registre los que se asemejen en caso de que sea susceptible a una confusión fonética o visual. Un ejemplo real lo fue el de la afamada empresa mexicana Sanborn Hermanos S.A. la cual gasta mucho dinero en campañas publicitarias para anunciar su sitio saNborns.com.mx y que hasta ahora mucha gente cree que el nombre de la empresa se escribe como “samborns”, así, por el año 2000 su inteligente competencia (decompras.com) registró el dominio saMborns.com.mx al cual caí por error. Esta empresa sólo cuenta con un dominio para su sitio web (saNborns.com.mx), los otros 3 (saNborns.com, saMborns.com y saMborns.com.mx), que por intuición o equivocación mucha gente ha de teclear, pertenecen a otras entidades. Por cierto, le reto a que en menos de 3 intentos usted ingrese al sitio web de la compañía de los cereales del Tigre Toño.

¿Punto qué?
El mercado de dominios da más valor a aquellos dominios que terminen con .com que cualquier otra terminación, ya que se consideran universales, pues al no especificar territorio gegráfico puede ser utilizado para realizar negocios con personas de cualquier país, además de haber sido la primera terminación utilizada para usos comerciales.

El ideal de un dominio sería tenerlo registrado bajo .com, .net, .org y con la terminación que exista para cada país en la tierra, pero veámonos más prácticos y realistas, mi sugerencia es que primero trate de registrar su dominio bajo .com y luego bajo el .com con la terminación de su país (ej. com.bo), si logró registrar estos dos, entonces registre de una vez los .info .biz y .net para no dar oportunidad a que su competencia o alguna otra persona en el mundo que esté teniendo las mismas ideas que usted lo utilice.

Sin redundancia.
He visto varios dominios como ronaldsiegfriedmexico.com.mx, donde la palabra “mexico” ocasiona un pleonasmo, ya que el cTLD (country top level domain) “mx” por sí solo lo identifica como mexicano. Las dos mejores opciones para este dominio hubieran sido RonaldSiegfried.com.mx o bien RonaldSiegfriedMexico.com. Recuerde, mientras más corto, mejor.

Información obtenida de:     http://neothek.com/dominios/Estados%20Unidos/elegir-dominio/

CAMPEONATO ROBOTICA FRC 2014

EL CAMPEONATO DE ROBOTICA FRC 2014 SE CELEBRARA EN LA ARENA CIUDAD DE MEXICO
MUY RECOMENDABLE ASISTIR.
PROF. MIGUEL SERRANO
MATERIA. COMUNICACIONES DIGITALES
robot azt

Libro: Lógica y teoría de cojuntos

Docente: Camerina Laura Ramírez Gallegos

 

LogicayTeorC3ADadeConjuntosRecomendación de este libro para apoyo en el área de matemáticas referente a la Lógica y teoría de conjuntos.  Escrito por Carlos Ivorra Castillo.

La teoría de conjuntos es una rama de las matemáticas que estudia las propiedades de los conjuntos: colecciones abstractas de objetos, consideradas como objetos en sí mismas. Los conjuntos y sus operaciones más elementales son una herramienta básica en la formulación de cualquier teoría matemática.  Sin embargo, la teoría de los conjuntos es lo suficientemente rica como para construir el resto de objetos y estructuras de interés en matemáticas: números,funciones, figuras geométricas, …; y junto con la lógica permite estudiar los fundamentos de esta. En la actualidad se acepta que el conjunto de axiomas de lateoría de Zermelo-Fraenkel es suficiente para desarrollar toda la matemática.

 

Teoría General de los Sistemas

TeoríaGeneralDeLosSistemasUVMEste libro nis introduce al enfoque de sistemas.
Víctor Montiel Cortés

Telecomunicaciones(2)

Breve historia de las telecomunicaciones (2)
Telecomunicaciones(II) Víctor Montiel Cortés

Telecomunicaciones(1)

Breve Historia de las telecomunicaciones parte 1.

Telecomunicaciones(I)

Víctor Montiel Cortés

Homeóstato

Sistema de retroalimentación negativa que tiende a la estabilidad.

ElHomeóstatoDeAshby

Víctor Montiel Cortés